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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121559814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610083433.0，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法是由吴思;车宏宇设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法，属于紫外纳米压印光刻胶领域。本发明通过向纳米压印光刻胶组分间引入氢键相互作用，得到了在纳米级别无相分离的半互穿网络结构，成功的将半互穿网络结构应用于纳米压印光刻胶领域。本发明为高力学性能纳米压印光刻胶的设计提供了一种新思路方法，这种半互穿网络结构提升力学性能的同时在一定程度上降低了光刻胶收缩率。与现有技术的纳米压印光刻胶相比，具有高力学性能、低体积收缩率的优点，且可通过简单的旋涂成膜的方式高效的进行高分辨率纳米结构的压印。

本发明授权一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶，其特征在于按质量份数包含如下组分： 羟基丙烯酸酯单体50-95份，巯基化合物1-20份，线性高分子1-30份，光引发剂1-5份； 所述线性高分子选自聚4-乙烯基吡啶、聚2-乙烯基吡啶、聚酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚氨酯、聚脲、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种； 所述线性高分子数均分子量范围为1k-10000k； 所述羟基丙烯酸酯单体选自4-羟基丁基丙烯酸酯、5-羟基戊基丙烯酸酯、2-羟基环己基丙烯酸酯、3-羟基金刚烷-1-基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、3,5-二羟基苯酚甲基丙烯酸酯、3-氯-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-2-羟基乙氧基乙基丙烯酸酯、6-4-羟基苯氧基己基丙烯酸酯、2-2-羟基乙氧基乙基甲基丙烯酸酯、3,5-二羟基金刚烷-1-基甲基丙烯酸酯、4-4-羟基苯基磺酰基苯基丙烯酸酯、3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-4-苯甲酰基-3-羟基苯氧基乙基丙烯酸酯、2-2-2-羟基乙氧基乙氧基乙基甲基丙烯酸酯、5,5,5-三氟-4-羟基-4-三氟甲基戊-2-基甲基丙烯酸酯、2-2-2-2-羟基乙氧基乙氧基乙氧基乙基甲基丙烯酸酯、4,4,4-三氟-3-羟基-2-甲基-3-三氟甲基丁-2-基甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸甘油酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯、甘油1,3-二甘油醇酸二丙烯酸酯中的一种或几种。

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