中山大学;北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司郑伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司申请的专利一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121228341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511476023.4，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用是由郑伟;刘书跃;何军舫;王军勇设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于氧化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用。本发明基于化学气相沉积CVD技术，采用“气体渐变通入+温度精准控制”实现梯度涂层制备，在石墨内芯外侧依次沉积碳化硼B4C涂层、碳化硼‑热解氮化硼B4C‑PBN过渡涂层、热解氮化硼PBN涂层，制备得到的氮化硼复合坩埚不仅降低氧化镓晶体生长成本，而且通过梯度涂层设计消除层间界面，解决热膨胀系数不匹配问题，提升坩埚密封性与使用寿命；本发明氮化硼复合坩埚兼容倒模法、VB法等多种氧化镓晶体生长工艺，实现单晶或多晶的高质量生长，且无需改造现有加热系统。
本发明授权一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化硼复合坩埚，其特征在于，所述氮化硼复合坩埚从内到外包括石墨内芯和热解氮化硼涂层，所述石墨内芯和热解氮化硼涂层之间包含碳化硼涂层，所述碳化硼涂层和热解氮化硼涂层之间包含碳化硼-热解氮化硼过渡涂层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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