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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121194505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511713916.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件是由崔卫刚;陈水良;吴建波设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种双极元件‑CMOS‑DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有双极元件‑CMOS‑DMOS器件区；在隔离所述双极元件、CMOS、DMOS器件区的任意两种之间，形成包括用于浅沟槽隔离结构的第一沟槽及用于深沟槽隔离结构的第二沟槽的双沟槽结构，其中，所述第二沟槽位于所述第一沟槽中，且深度大于所述第一沟槽；在所述双沟槽结构中填充隔离材料，形成双极元件‑CMOS‑DMOS器件的隔离结构。此种方式相比于传统方法简化了形成隔离结构的工艺流程，从而可以减少对双极元件‑CMOS‑DMOS器件所造成的影响。因此，该方法可以减少双极元件‑CMOS‑DMOS半导体器件制备过程中所存在的缺陷，进而提升了形成的半导体器件的稳定性。

本发明授权一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有双极元件-CMOS-DMOS器件区； 在隔离所述双极元件、CMOS、DMOS器件区的任意两种之间，形成包括用于浅沟槽隔离结构的第一沟槽及用于深沟槽隔离结构的第二沟槽的双沟槽结构，其中，所述第二沟槽位于所述第一沟槽中，且深度大于所述第一沟槽； 在所述双沟槽结构中填充隔离材料，形成双极元件-CMOS-DMOS器件的隔离结构； 其中，所述形成包括用于浅沟槽隔离结构的第一沟槽及用于深沟槽隔离结构的第二沟槽的双沟槽结构，包括： 在所述半导体衬底的外延层上形成第二钝化氧化层和第二硬掩模层；刻蚀所述第二硬掩模层，在所述半导体衬底上形成所述第二沟槽；去除所述第二硬掩模层和所述第二钝化氧化层；在所述半导体衬底的外延层上重新形成第三钝化氧化层和第三硬掩模层；在所述第三硬掩模层上与所述第二沟槽的顶部位置对应的预设区域内执行刻蚀工艺，在所述半导体衬底的外延层上形成所述第一沟槽。

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