上海天岳半导体材料有限公司隋晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法及碳化硅晶圆减薄片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121156853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511229910.1，技术领域涉及：B24B7/22；该发明授权一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法及碳化硅晶圆减薄片是由隋晓明;宗艳民;马立兴;刘硕设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法及碳化硅晶圆减薄片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法及碳化硅晶圆减薄片，涉及晶体激光加工技术领域。S1：对碳化硅晶圆的待减薄面进行整面的第一次激光扫描，在碳化硅晶圆内部形成改质层；S2：对第一次激光扫描后的待减薄面的圆周边缘部分进行第二次激光扫描，使圆周边缘部分形成的改质层向待减薄面延伸；S3：将第二次激光扫描的碳化硅晶圆依次进行分离、砂轮减薄，得到碳化硅晶圆减薄片；其中，第二次激光扫描后的改质层厚度大于第一次激光扫描后的改质层厚度。通过两次激光扫描，优化改质方法，可大幅降低分离难度与晶圆减薄后的翘曲问题，降低了砂轮磨耗与晶圆开裂风险。
本发明授权一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法及碳化硅晶圆减薄片在权利要求书中公布了：1.一种使用激光改质减薄碳化硅晶圆的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤： S1：对碳化硅晶圆的待减薄面进行整面的第一次激光扫描，在碳化硅晶圆内部形成改质层； S2：对第一次激光扫描后的待减薄面的圆周边缘部分进行第二次激光扫描，使圆周边缘部分形成的改质层向待减薄面延伸； S3：将第二次激光扫描的碳化硅晶圆依次进行分离、砂轮减薄，得到碳化硅晶圆减薄片； 其中，第二次激光扫描后的改质层厚度大于第一次激光扫描后的改质层厚度； 第二次激光扫描的改质层厚度比第一次激光扫描的改质层厚度提高3-7µm。
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