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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511660370.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，应用于BCDBipolar‑CMOS‑DMOS，即将双极型晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS、扩散金属氧化物半导体DMOS集成到同一芯片上。该方法包括：在半导体衬底上形成浅沟槽，在浅沟槽内填充第一材质；在部分浅沟槽内形成深沟槽，在深沟槽内沉积第二材质，第二材质与第一材质为不同的绝缘填充材料，在后续刻蚀工艺中，不同的绝缘填充材料的刻蚀速率不同，会造成浅沟槽与深沟槽的相接触区域因为不同的刻蚀速率出现缝隙，影响器件稳定性。因此，将深沟槽的顶部区域形成回刻蚀区域，在回刻蚀区域沉积第三材质，从而使得深沟槽与浅沟槽的交叠区域沉积同一种材质。因此，减少半导体器件制备过程中所存在的缺陷。

本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成钝化氧化层和第一硬掩模层，在所述第一硬掩模层上开始刻蚀，至所述半导体衬底上的第一预设位置，形成浅沟槽，在所述浅沟槽内填充第一材质； 去除所述第一硬掩模层，并保留所述钝化氧化层； 在所述钝化氧化层上沉积第二硬掩模层； 通过刻蚀工艺，在第二硬掩模层上与部分所述浅沟槽对应的位置处开始刻蚀，至所述半导体衬底的外延层上的第二预设位置，形成深沟槽，在所述深沟槽内沉积第二材质，所述第二材质与所述第一材质为不同材质； 对所述深沟槽的顶部区域中已填充的所述第二材质刻蚀设定深度，形成回刻蚀区域，在所述回刻蚀区域沉积第三材质，所述回刻蚀区域为所述浅沟槽与所述深沟槽的交叠区域；所述第三材质与所述第一材质为同种材质，或者与所述第一材质为相似的异性材质，以使所述交叠区域所沉积的材质具有相同的刻蚀速率； 去除所述半导体衬底上的第三材质，且去除工艺停止到所述第二硬掩模层。

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