北京集成电路装备创新中心有限公司涂天佑获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121109970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511121173.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备是由涂天佑设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备。所提供的半导体工艺腔室，包括：腔体、辅助起辉组件和溅射组件，腔体内具有工艺腔，腔体的侧壁设有安装孔；辅助起辉组件包括管路、阀门和电子发生器，管路设于安装孔处，管路上设有阀门，电子发生器设于管路的一端且位于工艺腔外，用于产生热电子并通过管路输送至工艺腔内；溅射组件包括靶材和溅射电源，溅射电源与靶材电连接，用以向靶材输出溅射功率，以使工艺腔内部形成电场，在电场和热电子的作用下激发工艺腔内的工艺气体形成等离子体。本发明可以解决当前工艺腔室在起辉过程中需要大量工艺气体的问题，可以增加腔室填孔的能力。
本发明授权半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室为自离化PVD腔室，其包括： 腔体，所述腔体内具有工艺腔，所述腔体的侧壁设有安装孔； 辅助起辉组件，所述辅助起辉组件包括管路、阀门和电子发生器，所述管路设于所述安装孔处，所述管路上设有所述阀门，所述电子发生器设于所述管路的一端且位于所述工艺腔外，用于产生热电子并通过所述管路输送至所述工艺腔内； 溅射组件，所述溅射组件包括靶材和溅射电源，所述溅射电源与所述靶材电连接，用以向所述靶材输出溅射功率，以使所述工艺腔内部形成电场，在所述电场和所述热电子的作用下激发所述工艺腔内的工艺气体形成等离子体。
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