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龙图腾网获悉无锡商甲半导体有限公司申请的专利具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511280894.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法是由葛伟;丁磊;滕支刚设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法；所述具有低导通电阻沟槽MOSFET器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在有源区，第一导电类型外延层中设有单胞沟槽；相邻单胞沟槽之间的第一导电类型外延层顶部自下而上设有第二导电类型阱区和第一导电类型注入层；在单胞沟槽的内壁设有栅氧化层；在单胞沟槽中设有栅极多晶硅；在单胞沟槽底部下方形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第一导电类型埋层；在单胞沟槽底部下方的第一导电类型埋层中形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第二导电类型埋层；本发明能够在降低导通电阻的同时击穿电压不下降，且成本也不会有明显的增加。

本发明授权具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低导通电阻沟槽MOSFET器件，包括有源区和围绕有源区设置的终端保护区；所述具有低导通电阻沟槽MOSFET器件包括重掺杂的第一导电类型衬底1，在第一导电类型衬底1上设有第一导电类型外延层2；第一导电类型外延层2背离第一导电类型衬底1的表面为第一主面，第一导电类型衬底1背离第一导电类型外延层2的表面为第二主面；其特征在于， 在有源区，第一导电类型外延层2中设有单胞沟槽4；各单胞沟槽4间隔平行设置，相邻单胞沟槽4之间的第一导电类型外延层2顶部自下而上设有第二导电类型阱区9和第一导电类型注入层10；单胞沟槽4自第一主面伸入第二导电类型阱区9之下；在单胞沟槽4的内壁设有栅氧化层7；在单胞沟槽4中设有栅极多晶硅801，栅极多晶硅801通过栅氧化层7与第一导电类型注入层10、第二导电类型阱区9和第一导电类型外延层2绝缘； 在单胞沟槽4底部下方形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第一导电类型埋层5；在单胞沟槽4底部下方的第一导电类型埋层5中形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第二导电类型埋层6； 用于形成第二导电类型埋层6的第二导电类型杂质的注入剂量高于用于形成第一导电类型埋层5的第一导电类型杂质的注入剂量； 在第一主面上方设有绝缘介质层11，绝缘介质层11上方设有源极金属13和栅极金属；所述源极金属13通过贯穿绝缘介质层11和第一导电类型注入层10的源极接触孔1201连接相邻单胞沟槽4之间的第一导电类型注入层10和第二导电类型阱区9；所述栅极金属通过贯穿绝缘介质层11的栅极接触孔连接单胞沟槽4中的栅极多晶硅801； 在第二主面设有漏极金属； 用于形成第一导电类型埋层5的第一导电类型杂质为磷，注入剂量为：4E14cm-2～7E14cm-2； 用于形成第二导电类型埋层6的第二导电类型杂质为硼，注入剂量为：8E15cm-2～9E15cm-2。

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