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龙图腾网获悉内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司申请的专利碳化硅晶体生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120797184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511299615.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权碳化硅晶体生长装置及生长方法是由胡建荣;欧阳鹏根;张志伟;汪传勇;乔发;黄俊设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶体生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请包括坩埚、扩径环、隔断组件以及加热组件，扩径环设置于籽晶固定区外周侧，扩径环具有倾斜面，隔断组件包括分隔环和罩体，分隔环设置于坩埚底部且与籽晶固定区正对设置，分隔环外周侧与倾斜面相对，分隔环外周侧用于设置第一原料，罩体连接于分隔环上且为可分离式连接，罩体采用石墨或多晶碳化硅制成，且罩体的厚度≤0.5mm，罩体与分隔环围合形成容置腔，容置腔内用于设置第二原料。本申请稳定扩径的同时保证晶体质量，同时减小了晶体生长界面的温度梯度，可提高晶体扩径后的电阻率均匀性。

本发明授权碳化硅晶体生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100顶部设有籽晶固定区Q，所述籽晶固定区Q用于固定籽晶； 扩径环200，所述扩径环200设置于所述籽晶固定区Q外周侧，所述扩径环200具有倾斜面210，所述倾斜面210朝向背离所述籽晶固定区Q方向延伸； 隔断组件300，所述隔断组件300包括： 分隔环310，所述分隔环310设置于所述坩埚100底部且与所述籽晶固定区Q正对设置，所述分隔环310外周侧与所述倾斜面210相对，所述分隔环310外周侧用于设置第一原料； 罩体320，所述罩体320连接于所述分隔环310上且为可分离式连接，所述罩体320采用石墨或多晶碳化硅制成，且所述罩体320的厚度≤0.5mm，所述罩体320与所述分隔环310围合形成容置腔330，所述容置腔330内用于设置第二原料；以及 加热组件400，所述加热组件400包括： 第一加热器410，所述第一加热器410设置于所述坩埚100下方且作用于所述分隔环310外周侧； 第二加热器420，所述第二加热器420设置于所述第一加热器410内周且作用于所述容置腔330。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司，其通讯地址为：010010 内蒙古自治区呼和浩特市金桥经济开发区工业二区宝力尔街；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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