武汉光迅科技股份有限公司梅雪获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种窄波长间隔的SOA-PIN及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117970571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410193714.2，技术领域涉及：G02B6/27；该发明授权一种窄波长间隔的SOA-PIN及其制作方法是由梅雪;刘成刚设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄波长间隔的SOA-PIN及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种窄波长间隔的SOA‑PIN及其制作方法，制作方法包括：以SOA芯片为界，将光路分为前光路和后光路；在SOA‑PIN耦合时先建立所述前光路，后建立所述后光路；通过所述SOA芯片的反偏特性来建立所述前光路；所述前光路包括依次设置的第一准直透镜、隔离器、第二准直透镜以及光口；通过所述SOA芯片的正偏特性来建立所述后光路；所述后光路包括依次设置的第三准直透镜、滤片、第四准直透镜以及PIN芯片。本发明可以兼顾到成品率和信号波长越来越密集的需求。
本发明授权一种窄波长间隔的SOA-PIN及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种窄波长间隔的SOA-PIN的制作方法，其特征在于，包括： 以SOA芯片106为界，将光路分为前光路1和后光路2；在SOA-PIN耦合时先建立所述前光路1，后建立所述后光路2； 通过所述SOA芯片106的反偏特性来建立所述前光路1；所述前光路1包括依次设置的第一准直透镜105、隔离器104、第二准直透镜103以及光口101； 通过所述SOA芯片106的正偏特性来建立所述后光路2；所述后光路2包括依次设置的第三准直透镜107、滤片108、第四准直透镜109以及PIN芯片110。
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