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龙图腾网获悉夏普显示科技株式会社申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117651984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180100785.8，技术领域涉及：G09F9/30；该发明授权显示装置是由村重正悟设计研发完成，并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：第一TFT9A包括：氧化物半导体的第一半导体层17a、在第一半导体层17a上隔着第一栅极绝缘膜18a设置的第一栅极电极19a、覆盖第一栅极电极19a的氧化硅膜的第一层间绝缘膜20、以及第一层间绝缘膜20上的氮化硅膜的第二层间绝缘膜21，在第二层间绝缘膜21中形成有贯通孔M，贯通孔M与第一半导体层17a的第一沟道区域17ac整体重叠，在从贯通孔M露出的第一层间绝缘膜20以及贯通孔M的周缘部的表面，金属覆盖层22e一体地设置。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其特征在于，包括： 基底基板层；以及 薄膜晶体管层，其设于所述基底基板层上， 在所述薄膜晶体管层中，按每个子像素设有第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第一半导体层， 所述第一薄膜晶体管具备： 所述第一半导体层，其中规定有相互分离的第一导体区域以及第二导体区域，并在该第一导体区域与该第二导体区域之间规定有第一沟道区域； 第一栅极绝缘膜，其设于该第一半导体层上； 第一栅极电极，其设于该第一栅极绝缘膜上，且控制所述第一导体区域与所述第二导体区域之间的导通； 第一层间绝缘膜，其由以覆盖该第一栅极电极的方式设置的氧化硅膜构成； 第二层间绝缘膜，其由设于该第一层间绝缘膜上的氮化硅膜构成；以及 第一端子电极以及第二端子电极，其在该第二层间绝缘膜上设置为相互分离，且经由在所述第一层间绝缘膜以及第二层间绝缘膜中形成的第一接触孔以及第二接触孔，分别与所述第一导体区域以及所述第二导体区域电连接， 在所述第二层间绝缘膜中形成有贯通孔，所述贯通孔以与所述第一沟道区域整体重叠的方式贯通该第二层间绝缘膜， 在从所述贯通孔露出的所述第一层间绝缘膜以及该贯通孔的周缘部的表面一体地设置有金属覆盖层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普显示科技株式会社，其通讯地址为：日本国三重县龟山市白木町幸川464号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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