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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117539082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311525649.0，技术领域涉及：G02F1/133；该发明授权一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器是由张岩;杜忠华;李世泽;高玉春设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器，该液晶移相器至少包括：同侧耦合结构，延迟线型液晶移相器，异侧耦合结构；其中，同侧耦合结构指的是在液晶层金属地的同一侧的耦合结构，异侧耦合结构指的是在液晶层金属地的上下两侧的耦合结构。通过设计两种不同的跨层耦合过渡结构实现信号在电控液晶元件玻璃层内外的传输，实现超宽带工作频段与较低损耗。

本发明授权一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器在权利要求书中公布了：1.一种带有宽边耦合过渡结构的液晶移相器，其特征在于，该液晶移相器至少包括：同侧耦合结构，延迟线型液晶移相器，异侧耦合结构；其中，同侧耦合结构指的是在液晶层金属地即中层开槽金属地板8的同一侧的耦合结构，异侧耦合结构指的是在液晶层金属地的上下两侧的耦合结构； 同侧耦合结构包括：下层金属地板1，第一金属过孔2，下层介质基板3，下层耦合线4，下层玻璃基板5，上层耦合线6-1，液晶层7，中层开槽金属地板8；信号由同轴接头通过第一金属过孔2传输到下层耦合线4，进一步耦合到上层耦合线6-1，上层耦合线6-1与延迟线型液晶移相器的移相线6-2相连，由此实现移相线6-2与下层外部结构的垂直互连； 延迟线型液晶移相器包括：下层玻璃基板5，移相线6-2，液晶层7，中层开槽金属地板8，上层玻璃基板9；以上所有结构构成倒置微带线结构，通过改变施加在液晶层7上的偏置电压，使用移相线6-2来实现连续调相的功能； 异侧耦合结构包括：下层金属地板1，下层介质基板3，下层玻璃基板5，下层耦合贴片6-3，液晶层7，中层开槽金属地板8，上层玻璃基板9，上层耦合贴片10，上层介质基板11，上层金属地板13；以上所有结构构成不均匀介质情况下的基于开槽金属地的跨层过渡结构，移相线6-2与下层耦合贴片6-3相连，信号通过下层耦合贴片6-3耦合到上层耦合贴片10上，由此实现移相线6-2与上层外部结构的垂直互连。

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