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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种CVD/CVI数字化模型和预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117275614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311220004.6，技术领域涉及：G16C20/70；该发明授权一种CVD/CVI数字化模型和预测方法是由关康;孙永胜;曾庆丰;刘建涛设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CVD/CVI数字化模型和预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CVDCVI数字化模型和预测方法，包括第一H2桶、Ar桶、第二H2桶、化学气相沉积反应器、气体混合器、带加热功能的电子天秤；第一H2桶的输出口、Ar桶的输出口、带加热功能的电子天秤均连接气体混合器，第二H2桶的输出口均连接气体混合器，气体混合器连接化学气相沉积在反应器的进气口：本发明实现了在较宽CVDCVI工艺参数范围内对SiC的沉积率进行快速、准确的预测，为未来的CVDCVI数字孪生和智能制造奠定理论和方法基础。

本发明授权一种CVD/CVI数字化模型和预测方法在权利要求书中公布了：1.一种CVDCVI数字化模型的预测方法，其特征在于， 所述CVDCVI数字化模型，包括第一H2桶、Ar桶、第二H2桶、化学气相沉积反应器、气体混合器和带加热功能的电子天秤；所述第一H2桶的输出口、Ar桶的输出口、带加热功能的电子天秤均连接气体混合器，所述第二H2桶的输出口连接气体混合器，所述气体混合器连接化学气相沉积在反应器的进气口； 所述化学气相沉积在反应器内部的一侧设置石墨基板，所述化学气相沉积反应器内部的另一侧设置石墨加热器，所述化学气相沉积反应器的内部的横截面处且在化学气相沉积反应器的输入口后方设置多孔盘，所述化学气相沉积反应器的底部横截面的位置处设置排气口； 所述化学气相沉积反应器进气口直径都为16mm，所述化学气相沉积反应器的反应区的长度为200mm或400mm，所述化学气相沉积反应器直径为25mm，厚度为6.5mm； 所述化学气相沉积反应器进气口直径都为16mm，所述化学气相沉积反应器的反应区的长度包括：200mm或400mm；化学气相沉积反应器的表面直径为25mm，厚度为6.5mm； 包括以下步骤： 步骤S1：采用MTSCH3SiCl3-Ar-H2体系通过化学气相渗透法，在石墨衬底上制备SiC涂层或者SiC基体，生成SiC； 步骤S2：对CVDCVI化学气相沉积反应器建立二维轴对称几何模型； 步骤S3：应用有限元软件对CVDCVI化学气相沉积反应器的二维轴对称几何模型进行网格划分，构建反应区直径为100mm反应器的网格模型以及化学反应及其动力学参数； 步骤S4：对化学反应及其动力学参数中A参数进行已有实验数据进行算法处理，最终得到A参数值； 步骤S5：训练数据集内A参数值以及数据的分布，形成混合数据集； 步骤S6：根据混合数据集，训练ML模型； 步骤S7：对于训练后的混合数据集，采用XGBoost算法和Randomforest算法进行训练，再结合机器学习算法，预测CVDCVI沉积速率。

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