中国科学院上海光学精密机械研究所潘明艳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利宽籽晶导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石系列晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117230526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310255283.3，技术领域涉及：C30B15/36；该发明授权宽籽晶导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石系列晶体的方法是由潘明艳;张璐;齐红基;田瑞丰设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽籽晶导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石系列晶体的方法在说明书摘要公布了：一种宽籽晶导模法生长大尺寸石榴石系列晶体的方法，该方法不进行缩颈和放肩过程，降低了晶体开裂的风险，提高了结晶率并缩短生长时间，能够稳定生长出六英寸以上大尺寸高质量的稀土离子掺杂石榴石系列晶体。
本发明授权宽籽晶导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石系列晶体的方法在权利要求书中公布了：1.一种宽籽晶导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石系列晶体的方法，所述稀土离子掺杂石榴石系列晶体的分子式为Re:A3B5O12，Re=Yb、Nd、Ce，A=Y、Lu以及YLu固溶体，B=Al、Ga以及AlGa固溶体，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1.原料的选取和处理：按分子式Re:A3B5O12化学计量比，称取原料Re2O3、A2O3和B2O3，经过混料、压料和烧料过程，得到多晶料块； 步骤2.晶体生长： 步骤2.1加热熔化所述多晶料块，并保持过热； 步骤2.2下降宽籽晶，使宽籽晶与模具接触； 所述宽籽晶的宽度WS、厚度TS与模具的宽度WD、厚度TD满足条件WS=WD且； 步骤2.310-30分钟后，提拉晶体进行等径生长，提拉速率为5-30mmh； 步骤2.4晶体生长结束后，进行升温提脱后，在12-20小时内降至室温出炉； 步骤2.5高温退火后，在空气气氛中升温至1000-1300℃，并恒温10-20小时后，缓慢降至室温。
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