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龙图腾网获悉湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)申请的专利一种嵌入式透明金属微网栅电极的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117156935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310967802.9，技术领域涉及：H10K71/60；该发明授权一种嵌入式透明金属微网栅电极的制备方法及其应用是由张亚朋;张冠华;熊一舸;段辉高设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式透明金属微网栅电极的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式透明金属微网栅电极的制备方法及其应用，将正性光刻胶均匀旋涂在洁净的透明导电玻璃上，通过光刻技术获得图案化光刻胶。利用图案化光刻胶作为二次掩膜，引入离子束刻蚀工艺将导电层选择性刻蚀出图案化沟槽。刻蚀后的样品直接用于离子束溅射工艺，利用图案化光刻胶作为三次掩膜，先后溅射金属Cr和金属Ni填充图案化沟槽。得到嵌入式透明金属微网栅电极。采用选择性嵌入非稀有金属微网栅的方法，极大的提高了商用ITO的导电性和机械稳定性，同时光刻技术的引入简化了制备工艺并降低了加工成本，制备的透明金属微网栅电极兼具高透光率和高导电性，能够满足当前新型电致变色—储能器件的需求。

本发明授权一种嵌入式透明金属微网栅电极的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式透明金属微网栅电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将小尺寸的透明导电玻璃先后用无水乙醇和去离子水超声清洗，接着放置在鼓风干燥机中干燥； 2将正性光刻胶用匀胶机均匀旋涂在透明导电玻璃的导电层表面；接着在烘板上烘干，随后静置，冷却至室温即可得到表面附着光刻胶的透明导电玻璃； 3将定制掩膜版盖在步骤2得到的表面附着光刻胶的透明导电玻璃上，并放置在光照功率为20～40mWcm2、光照强度为100％～105％的紫外光刻机上进行曝光；曝光完成后取下定制掩膜版，得到表面光刻胶局部改性的透明导电玻璃； 4将步骤3得到的表面光刻胶局部改性的透明导电玻璃放置在自制显影溶液中，显影40～60s后取出，用去离子水冲去表面残余的NaOH溶液后用氮气枪吹干，得到表面附着图案化光刻胶的透明导电玻璃；所述自制显影溶液为0.5％的NaOH溶液； 5将步骤4得到的表面附着图案化光刻胶的透明导电玻璃放置到离子束刻蚀设备中，以图案化光刻胶为掩膜，用离子束刻蚀技术在透明导电玻璃的导电层选择性刻蚀出图案化沟槽，沟槽图案与定制掩膜版局部一致，沟槽深度与导电层厚度一致，得到表面有图案化沟槽的透明导电玻璃；离子束刻蚀参数为：阴极电流为6.5～7.0A、中和电流为5～6A、弧极电压为40～60V、屏栅电压为440～460V、加速电压为300～310V、辅助耦合系数为1.25、溅射速率为0.3nms； 6将步骤5得到的表面有图案化沟槽的透明导电玻璃放置到离子束溅射设备中，以图案化光刻胶为掩膜，用离子束溅射技术先后在图案化沟槽内溅射一定厚度的金属Cr和金属Ni得到嵌入金属微网栅的透明导电玻璃；离子束溅射主要参数为：离子源能量为500eV、中和电流为60～70A、束流为50～60A、溅射速率为0.143nms；所述金属Cr和金属Ni总厚度与沟槽深度一致； 7将步骤6得到的嵌入金属微网栅的透明导电玻璃放入自制去胶液中超声清洗，自制去胶液为浓度5％的NaOH溶液；清洗完成后用去离子水冲洗，去除透明导电玻璃表面的光刻胶和多余的金属，得到嵌入式透明金属微网栅电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)，其通讯地址为：410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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