长鑫存储技术有限公司肖德元获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210550340.6，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其形成方法是由肖德元;蒋懿;邵光速;苏星松;邱云松设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；多个有源柱，位于所述衬底内，所述多个有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的顶面的方向，且所述第一方向与所述第二方向相交；多条字线，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布，每条所述字线沿所述第二方向延伸、且连续包覆沿所述第二方向排布的多个所述有源柱的部分侧壁，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，任意相邻的两条所述字线至少部分错开设置。该半导体结构可以降低相邻两条字线之间电容耦合效应，且制程工艺简单，易于实现和控制。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 多个有源柱，位于所述衬底内，所述多个有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的顶面的方向，且所述第一方向与所述第二方向相交，所述有源柱包括沿垂直于所述衬底的顶面的方向依次排布的源极区、沟道区和漏极区； 多条字线，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布，每条所述字线沿所述第二方向延伸、且连续包覆沿所述第二方向排布的多个所述有源柱的部分侧壁，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，任意相邻的两条所述字线至少部分错开设置，每条所述字线连续包覆沿所述第二方向排布的多个所述有源柱的所述沟道区； 多条位线，位于所述衬底内，所述多条位线沿所述第二方向间隔排布，每条所述位线沿所述第一方向延伸、且与沿所述第一方向排布的多个所述有源柱的所述源极区接触电连接； 其中，在所述第一方向上任意相邻的两个所述有源柱中的所述源极区在垂直于所述衬底的顶面的方向上的尺寸不同。
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