中微半导体设备(上海)股份有限公司陶珩获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210410373.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备是由陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。
本发明授权半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理腔，用于处理基片，其特征在于，包括： 中空的腔室框架，其具有进气口和出气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述腔室框架的一侧设置有开孔； 可以透过热辐射的上盖，与所述开孔相配合连接并设置于所述腔室框架上，所述上盖与所述腔室框架围成一处理空间，所述处理空间用于容纳所述基片并对所述基片进行工艺处理，所述上盖包括位于上盖的中部的窗口和环绕所述窗口的外沿，所述上盖为石英材质，所述外沿为不透明石英材质； 承压壳体，其设置于所述上盖上方，并与所述上盖和至少部分所述腔室框架围成一密闭空间；以及， 一调压装置，用于对所述密闭空间的压力进行调节； 所述处理腔还包括下盖，其与所述上盖相对地设置于所述腔室框架的另一侧，所述处理空间由所述上盖、下盖和腔室框架围成，所述密闭空间通过调压装置与大气环境连通，所述下盖的下表面处于大气环境中，所述下盖为圆穹顶形。
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