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龙图腾网获悉武汉拓材科技有限公司申请的专利一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116832681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310812905.8，技术领域涉及：B01F35/12；该发明授权一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法是由卢鹏荐;曾小龙;张林;李鹏武;袁珊珊设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法，具体涉及化工设备技术领域，包括浸渍处理箱，所述浸渍处理箱上贯穿卡设有进料管，所述浸渍处理箱的正面卡设有观察窗，所述浸渍处理箱下贯穿卡设有出料管。本发明通过设置旋转轴、转动盘、第二轴承、连接轴、搅动杆、齿轮、齿圈、弧形板、导向槽、移动块、活塞板、活塞杆、单向出气阀和气管，且转动盘通过导向槽和移动块控制弧形板和活塞板往复进行前后移动，活塞板向后移动将活塞框中气体通过气管和单向出气阀挤压进入浸渍处理箱内部，增加的气压和更为充分搅动，且搅动过程存在从上向下对液面位置的搅动，使溶解过程更为充分，高效，保证了整体的制备加工效率。

本发明授权一种半绝缘磷化铟的制备装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种半绝缘磷化铟的制备装置，包括浸渍处理箱1，其特征在于：所述浸渍处理箱1上贯穿卡设有进料管2，所述浸渍处理箱1的正面卡设有观察窗3，所述浸渍处理箱1下贯穿卡设有出料管4，所述浸渍处理箱1下连接有支撑脚5，所述浸渍处理箱1上连接有固定杆6，所述固定杆6的另一端连接有驱动电机7，所述驱动电机7的输出轴连接有设在浸渍处理箱1外的转动加压装置8，所述转动加压装置8下连接有贯穿卡设在浸渍处理箱1上的旋转混合装置9，所述旋转混合装置9设在浸渍处理箱1内，所述转动加压装置8的正面连接有震动清理装置10，所述震动清理装置10连接在固定杆6外； 所述转动加压装置8包括转动盘81，所述转动盘81连接在驱动电机7的输出轴外，所述转动盘81连接在旋转混合装置9上，所述转动盘81的上下两侧均开设有导向槽82，所述导向槽82内滑动设有移动块83； 所述移动块83外连接有连接杆84，两个所述连接杆84外连接有同一个弧形板85，所述弧形板85下连接有滑块86，所述弧形板85外连接有活塞控制组件87，所述滑块86滑动设在活塞控制组件87内，所述活塞控制组件87与浸渍处理箱1相连通； 所述活塞控制组件87包括连接在浸渍处理箱1外的活塞框871，所述活塞框871上开设有滑槽872，所述滑块86滑动设在滑槽872内，所述活塞框871内滑动连接有活塞板873，所述活塞板873远离浸渍处理箱1的一面连接有活塞杆874，所述活塞杆874位于活塞框871外的一端与弧形板85连接，所述活塞杆874外套设有导向套875，所述导向套875贯穿卡设在活塞框871的背面； 所述活塞框871下连通设有气管876，所述气管876与活塞框871的连接位置位于活塞板873的后侧，所述活塞框871的一侧对应气管876的位置连通设有单向进气阀878，所述气管876与浸渍处理箱1连通，所述气管876外设有单向出气阀877。

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