东南大学张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种金属-铁电-半导体外延异质结构可调电容器建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116776541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310515513.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种金属-铁电-半导体外延异质结构可调电容器建模方法是由张辉;侯永琪;毛飞龙;朱一凡设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属-铁电-半导体外延异质结构可调电容器建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属‑铁电‑半导体外延异质结构可调电容器建模方法，在该建模方法中，基于麦克斯韦Maxwell方程与铁电‑半导体层的电位移矢量连续方程得到铁电层电场与半导体表面电荷面密度、铁电体极化强度的函数关系，并通过二阶罗森布罗克Rosenbrock公式对铁电体偶极子极化微分方程进行数值求解，采用电压正向扫描与反向扫描仿真薄膜电容器的高频状态下C‑V曲线，该模型可以准确刻画电容器参数对电容可调性的影响。本发明对基于MFS可调电容的声表面波SAW滤波器参数优化设计具有重大意义。
本发明授权一种金属-铁电-半导体外延异质结构可调电容器建模方法在权利要求书中公布了：1.一种金属-铁电-半导体外延异质结构可调电容器建模方法，其特征在于，包括以下具体步骤： S1、使用miller模型确定铁电体饱和极化与铁电体极化强度间的微分方程，并使用二阶罗森布罗克公式对微分方程进行数值求解，求解边界条件由饱和极化曲线端点确定； S2、使用半导体表面电场效应泊松方程推导出半导体表面电场强度与半导体表面电势，半导体载流子浓度，本征载流子浓度的函数关系；根据高斯定理确定半导体表面电荷面密度与表面电场强度的函数关系； S3、使用麦克斯韦第一方程与铁电-半导体层的电位移矢量连续方程得到铁电层分压与半导体表面电荷面密度，铁电体极化强度间的函数关系； S4、经S2，S3求得半导体表面电势，由半导体表面与MIS结构物理性质可知栅极电压Vg与铁电层分压和半导体耗尽层表面势的函数关系，进而求得电压Vg； S5、由半导体在高频工作条件下，积累区和耗尽区的半导体电容公式和考虑极化状态下铁电体电容公式联立，根据等效电路最终求得MFS电容器的等效总电容。
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