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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种Mini-LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116741906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310520108.2，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种Mini-LED芯片及其制作方法是由林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Mini-LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。

本发明授权一种Mini-LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Mini-LED芯片，其特征在于，包括： 透明衬底，所述透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面为出光面； 层叠于所述第一表面的外延结构，所述外延结构包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第二型半导体层的上表面设有向所述第一型半导体层延伸的凹槽，并显露部分所述第一型半导体层，所述第一方向垂直于所述透明衬底，并由所述透明衬底指向所述外延结构； 反射层，其设置于所述第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与所述外延结构的外围侧壁及所述凹槽的侧壁间隔设置； 绝缘层，其覆盖所述外延结构、所述透明衬底及部分所述反射层的裸露面，并露出所述凹槽的底部，所述绝缘层包括DBR反射结构层； 第一电极，其设置于所述绝缘层背离所述反射层的一侧表面，并延伸至所述凹槽的裸露部，与所述第一型半导体层连接； 第二电极，其设置于所述绝缘层背离所述反射层的一侧表面，并通过第二电极导电通孔与所述第二型半导体层连接，且所述第一电极和所述第二电极间隔设置。

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