默升科技集团有限公司邓志成获国家专利权
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龙图腾网获悉默升科技集团有限公司申请的专利具有电源噪声消除的电压调节器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116643609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211610033.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权具有电源噪声消除的电压调节器是由邓志成;段一达设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有电源噪声消除的电压调节器在说明书摘要公布了：本发明公开了利用电容耦合电源降噪部件的电源降噪方法和低压差LDO电压调节器。一种说明性的电压调节器包括：传输晶体管，具有n型传导沟道，该传输晶体管将电源电压耦合到输出节点；运算放大器，从输出节点的基准电压和经缩放或未经缩放电压之间的差导出用于所述传输晶体管的控制信号，所述控制信号被提供给所述传输晶体管的栅极或基极；缓冲器，从所述电源电压导出纹波消除信号；以及耦合电容器，将缓冲器耦合到传输晶体管的基极或栅极，以将纹波消除信号施加到控制信号上。
本发明授权具有电源噪声消除的电压调节器在权利要求书中公布了：1.一种低压差LDO电压调节电路，包括： 传输晶体管，具有n型传导沟道，所述传输晶体管将电源电压耦合到输出节点； 运算放大器，从所述输出节点的基准电压和经缩放或未经缩放电压之间的差导出用于所述传输晶体管的控制信号，所述控制信号被提供给所述传输晶体管的栅极或基极； 缓冲器，从所述电源电压导出纹波消除信号；以及 耦合电容器，所述耦合电容器具有连接至所述缓冲器的输出的第一端子和连接至所述传输晶体管的所述基极或栅极的第二端子，以将所述纹波消除信号施加到所述控制信号上， 其中所述缓冲器是反相缓冲器，包括与第二NMOS晶体管串联的第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有固定偏置，且所述第二NMOS晶体管具有电容耦合到所述电源电压的栅极，以在所述第一和第二NMOS晶体管之间的中间节点上生成所述纹波消除信号。
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