滁州捷泰新能源科技有限公司毛卫平获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种TOPCon电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310470216.3，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种TOPCon电池及其制备方法是由毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TOPCon电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
本发明授权一种TOPCon电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池的制备方法，包括： 在隧穿层表面制备掺杂非晶硅薄膜后退火； 在退火后的薄膜下表面制备氧化硅层作为扩散阻挡层； 在扩散阻挡层表面开槽； 进行POCl扩散，在开槽处进行重掺杂，在开槽的位置处形成了掺杂浓度较高的第一掺杂多晶硅区域，进而在第一掺杂多晶硅区域对应的内扩层的位置处形成了第一内扩区域； 在未开槽的位置处形成了掺杂浓度较低的第二掺杂多晶硅区域，进而在第二掺杂多晶硅区域对应的内扩层的位置处形成了第二内扩区域； 所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。
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