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龙图腾网获悉湖南泰坦未来科技有限公司申请的专利一种带有涂层的碳质材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116427034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310321788.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种带有涂层的碳质材料及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有涂层的碳质材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有涂层的碳质材料及其制备方法，材料由以下方法制得：1在基体表面形成微结构凹槽，并制备金属催化剂层；2使用含硅浆料对基体进行浸渗处理；3将碳质材料基体加热生长形成碳化硅纳米线连接层，得到中间产品A；4在中间产品A上沉积形成碳化硅纳米线增强碳化硅层，得到中间产品B；5在中间产品B上沉积制备碳化硅‑碳化锆复合层，后处理得到中间产品C；6在中间产品C上沉积制备碳化锆层。本发明避免了现有技术中单一涂层所出现的问题，保证了涂层和基体之间的过渡和结合强度，促使涂层与基体呈现三维穿插机械配合结构，通过机械侨联和界面约束有效提高了涂层与基体的界面结合强度。

本发明授权一种带有涂层的碳质材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有涂层的碳质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在碳质材料基体表面形成微结构凹槽，并在所述碳质材料基体表面制备金属催化剂层；所述微结构凹槽的深度为10～20μm，宽度为2～5μm；所述微结构凹槽采用激光刻蚀的方法形成； 2使用含硅浆料对所述碳质材料基体进行浸渗处理，所述含硅浆料包括10质量份的纳米硅粉和2～3质量份的蜡质碳源； 3将所述经过浸渗处理的碳质材料基体置于反应装置中加热生长形成碳化硅纳米线连接层，得到中间产品A；所述碳化硅纳米线连接层的加热生长过程中，先于真空条件下加热生长1～2h，再向反应装置中通入稀释气体、硅源气体和碳源气体，继续生长0.5～2h；所述碳化硅纳米线连接层的生长温度为1100～1350℃，生长时间为1.5～4h；所述碳源气体和硅源气体的体积比为1：2～4，所述稀释气体的体积为碳源气体和硅源气体总体积的3～5倍； 4将中间产品A置于沉积装置内，并通入稀释气体、硅源气体和碳源气体，在中间产品A上沉积形成碳化硅纳米线增强碳化硅层，得到中间产品B； 5在所述中间产品B上沉积制备碳化硅-碳化锆复合层，并进行后处理，得到中间产品C；所述碳化硅-碳化锆复合层采用双气相通入法沉积获得，通入的气体为四氯化硅、四氯化锆、碳源气体和稀释气体，四氯化硅、四氯化锆的摩尔比为1:1；所述后处理操作为将碳质材料基体置于铺有硅粉的热处理炉内进行热处理，热处理温度为2000～2200℃，热处理时间为1～2h； 6在所述中间产品C上沉积制备碳化锆层，即得所述带有涂层的碳质材料。

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