安徽微芯长江半导体材料有限公司陈辉获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅晶体切割头尾片的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116352899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525803.X，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种碳化硅晶体切割头尾片的处理方法是由陈辉;贺贤汉设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体切割头尾片的处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于碳化硅晶体切割头尾片的处理方法。由此可有效利用碳化硅晶体切割后部分头尾片，经过本发明的处理后可以使之加工成标准的衬底片，无需额外增加加工设备，使用成本较低。本发明的加工方法操作简便、控制精度高，切割头尾片利用率高，适合广泛用于批量生产或实验性碳化硅切割头尾晶片的有效处理，具有很大的产业应用性。
本发明授权一种碳化硅晶体切割头尾片的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体切割头尾片的处理方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，切割头尾片的分筛：根据有效厚度以及不平坦表面的最高点与最低点厚度差，将切割头尾片分为四类： 较厚且平晶片：有效厚度大于或等于450μm，且所述厚度差小于或等于20μm； 较薄且平晶片：有效厚度小于450μm，且所述厚度差小于或等于20μm； 较厚不平整晶片：有效厚度大于或等于450μm，且所述厚度差超过20μm； 较薄不平整晶片：有效厚度小于450μm，且所述厚度差超过20μm； 其中，所述有效厚度为晶片厚度最低点的厚度； S2，针对不同种类的晶片分别进行加工： 将所述较厚且平晶片，按照20μm一个区间进行二次分类，再将同一个厚度区间的晶片一起进行双面研磨； 将所述较薄且平晶片直接进行grinder减薄加工至标准厚度下限值后进行后续标准加工； 将所述较厚不平整晶片进行粘蜡贴陶瓷盘后，用单面研磨机将不平整面磨平，再采用双面研磨至标准厚度上限值，其中所述陶瓷盘的直径采用360mm以上，且所述粘蜡贴盘工序将最大厚度与最小厚度都接近的头尾片粘接在同一块陶瓷盘上； 将所述较薄不平整晶片采用grinder减薄分段加工模式，分多次减薄加工至晶片标准厚度下限值后进行后续标准加工，且每次减薄量设置为10μm。
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