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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310088206.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥是由蒋盛;姚林荣设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥，其中磁性隧道结传感单元包括：种子层、固定层和势垒层；第一合成反铁磁自由层，其第一表面设置在势垒层上；第二合成反铁磁自由层，其第一表面设置在势垒层上；第一覆盖层，其第一表面与第一合成反铁磁自由层的第二表面连接；第二覆盖层，其第一表面与第二合成反铁磁自由层的第二表面连接；其中，种子层、固定层、势垒层、第一合成反铁磁自由层和第一覆盖层构成MTJ1，种子层、固定层、势垒层、第二合成反铁磁自由层和第二覆盖层构成MTJ2。本发明在一个MTJ传感单元上实现了两个固定层磁化方向相反的MTJ桥臂，减小了结构的复杂性。本发明可广泛应用于磁性隧道结传感器。

本发明授权一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥在权利要求书中公布了：1.一种磁性隧道结传感单元，其特征在于，包括： 种子层； 固定层，所述固定层的第一表面与所述种子层的第二表面连接； 势垒层，所述势垒层的第一表面与所述固定层的第二表面连接； 第一合成反铁磁自由层，所述第一合成反铁磁自由层的第一表面设置在所述势垒层的第二表面的第一边界上； 第二合成反铁磁自由层，所述第二合成反铁磁自由层的第一表面设置在所述势垒层的第二表面的第二边界上；其中，所述第一边界与所述第二边界相对； 第一覆盖层，所述第一覆盖层的第一表面与所述第一合成反铁磁自由层的第二表面连接； 第二覆盖层，所述第二覆盖层的第一表面与所述第二合成反铁磁自由层的第二表面连接； 所述种子层、固定层、势垒层、第一合成反铁磁自由层和第一覆盖层构成MTJ1，所述种子层、固定层、势垒层、第二合成反铁磁自由层和第二覆盖层构成MTJ2； 所述种子层、固定层和势垒层组成正方形柱体，合成反铁磁自由层和覆盖层加工为柱状结构，所述柱状结构在所述势垒层的第二表面的投影为长方形，且该长方形的长边的延长线与所述势垒层的边界垂直； 所述固定层为铁磁性材料，且所述固定层由于形状各向异性，磁化方向将沿面内形成×形磁畴结构，中心形成磁涡旋，因此所述MTJ1和所述MTJ2的固定层磁化方向反向平行。

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