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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310271019.9，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权光电探测器及其制备方法是由郑婉华;曹澎;彭红玲;王天财设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件研究及光电子材料领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的第一缓冲层，第二缓冲层，第一欧姆接触层，吸收层，电子势垒层以及第二欧姆接触层；其中，第一缓冲层采用In组分渐变的InxAl1‑xAs组成；第二缓冲层采用多组周期交替层叠生长的InyAl1‑yAs层和InyGa1‑yAs层组成；电子势垒层采用AlGaAsSb制成。本公开降低了由于高In组分吸收层和衬底之间较大晶格失配带来的位错密度，减少了吸收层中的缺陷，提高了吸收层的结晶质量，同时，采用AlGaAsSb作为电子势垒层有效提高了光生载流子的输运和收集效率。

本发明授权光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器，其特征在于，包括： 衬底1，依次叠设于所述衬底1上的第一缓冲层2，第二缓冲层3，第一欧姆接触层4，吸收层5，电子势垒层6以及第二欧姆接触层7； 其中，所述第一缓冲层2采用In组分渐变的InxAl1-xAs组成；所述第二缓冲层3采用多组周期交替层叠生长的InyAl1-yAs层和InyGa1-yAs层组成；所述电子势垒层6采用AlGaAsSb制成； 第一缓冲层2的In组分沿着第二缓冲层3指向衬底1的方向依次递增，所述第一缓冲层2的In组分从0.53递增至0.8，即0.53x≤0.8； 所述第一缓冲层2的厚度为30~50nm；所述第一缓冲层2的掺杂源为Te，掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1017cm-3； 所述第二缓冲层3采用30组周期交替层叠生长的InyAl1-yAs层和InyGa1-yAs层组成，0.75≤y≤0.85；其中，InyAl1-yAs层和InyGa1-yAs层的厚度均为10~15nm，所述第二缓冲层3的总厚度为600~900nm；所述第二缓冲层3的掺杂源为Te，掺杂浓度为5×1016cm-3~1×1017cm-3； 所述吸收层5采用In0.8Ga0.2As制成，所述吸收层5的厚度为2~2.5μm；所述吸收层5采用非故意掺杂方式。

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