江苏芯港半导体有限公司汪福进获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯港半导体有限公司申请的专利一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310074647.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法是由汪福进;白俊春;程斌;贾永设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、沉积凹槽制作；三、凹槽内材料生长；四、表面材料磨平；五、阴极制作；六、阳极制作。其能够有效降低n‑‑GaN传输层的等效电阻，从而提高二极管的正向电流；同时，在每个导电单元之间填充导热材料，能够提高二极管的散热能力。
本发明授权一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种通过体散热设计的GaN基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在N+-GaN层1的正面上生长一层N--GaN传输层2； 2在所述N+-GaN层1和N--GaN传输层2上刻蚀凹槽a，所述凹槽a的宽度为4~10μm、深度为将所述N+-GaN层1刻蚀掉100~500nm； 3整体生长一层厚度为10~30nm的AlGaN层3； 4在所述AlGaN层3上沉积导热材料4； 5对所述导热材料4进行打磨，去除掉所述AlGaN层3上方的所述导热材料4，只保留位于所述凹槽a内的所述导热材料4，并使得剩余的所述导热材料4的顶面与所述AlGaN层3的顶面齐平； 6在所述N+-GaN层1的底面上制作阴极5； 7在所述导热材料4和部分所述AlGaN层3上制作阳极6。
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