长鑫存储技术有限公司王晓玲获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310405804.9，技术领域涉及：H10W20/46；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由王晓玲设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底并在衬底上形成栅极堆叠层，在极堆叠层的表面吸附第一等离子体，形成至少覆盖栅极堆叠层侧壁的等离子体层，形成至少覆盖等离子体层侧壁的第一介质层；其中，等离子体层和第一介质层在同一炉管中形成。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成栅极堆叠层； 在所述栅极堆叠层的表面吸附第一等离子体，形成至少覆盖所述栅极堆叠层侧壁的等离子体层； 形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述等离子体层的侧壁；其中，所述等离子体层和所述第一介质层在同一炉管中形成； 形成等离子体层，包括： 提供炉管，所述炉管包括：反应腔以及设置于所述反应腔内壁上的至少一个内嵌腔，所述内嵌腔内设置至少一对平行设置的射频电极，所述射频电极用于将通入所述内嵌腔内的气体解离为等离子体； 将包括所述栅极堆叠层的所述衬底置于所述反应腔内； 向所述内嵌腔内通入第一源气体，并向所述射频电极施加射频信号以将所述第一源气体解离为第一等离子体，所述第一等离子体被吸附于所述栅极堆叠层的侧壁和上表面，以形成所述等离子体层。
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