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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116272423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310426263.8，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜及其制法是由房晋阳;顾宗林;和树新设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜及其制法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜，所述二维纳米膜为石墨烯，石墨烯上具有石墨烯环氧孔，石墨烯环氧孔的面积为0.98nm。本发明方法制得的石墨烯上具有尺寸为0.98nm的石墨烯环氧孔，具有该尺寸环氧孔的石墨烯对CO2具有高的捕获率，在80ns内对CO2捕获率达到13.8％，同时还具有高的CO2N2分离选择性，在80ns内对N2捕获率仅为0.39％。

本发明授权高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜及其制法在权利要求书中公布了：1.一种高CO2捕获率、高分离选择性的二维纳米膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1先采用改进的Hummers法制备氧化石墨烯： 1.1先在酸性介质中使用K2S2O8和P2O5对石墨粉末进行初步氧化；酸性介质为质量分数为30%的H2SO4溶液； 1.2再用强氧化混合物进行全氧化，制备过程中石墨烯的结构受损；强氧化混合物为H2SO4溶液和KMnO4水溶液按体积比为1：1的混合物，H2SO4溶液的质量分数为30%，KMnO4水溶液的质量浓度为10%； 2将制得的氧化石墨烯用水合肼分离和还原，以恢复石墨烯的结构： 2.1将10g氧化石墨烯加入到500mL去离子水中超声处理； 2.2往其中加入10mL水合肼，将反应物料置于油浴中100℃下反应24h； 3分离出黑色固体产物，用大量去离子水洗涤，于110℃下干燥，得到大量单层和多层的石墨烯； 4将石墨烯铺设在氮化硅基底上，用聚焦电子束刻蚀石墨烯，通常在300kV下，打孔时的电流密度为2×105Am2，单层石墨烯上每个孔的打孔时间为25ns，在石墨烯上刻蚀出直径为0.98nm的纳米孔； 5在室温下将石墨烯放入电子束辐照室内，在电子束加速电压为100KeV，束流为50μA，辐照剂量为1×105Gy下进行电子束辐照，石墨烯上的纳米孔变成环氧孔。

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