台湾积体电路制造股份有限公司陈文彦获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310031184.7，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权形成半导体器件的方法是由陈文彦设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：方法包括形成蚀刻掩模以覆盖芯轴、第一间隔件和第二间隔件，并且第一间隔件和第二间隔件与芯轴的相对侧壁接触。然后图案化蚀刻掩模，并且蚀刻掩模包括覆盖第一间隔件的第一部分、覆盖第二间隔件的第二部分以及将第一部分连接至第二部分的桥部分。桥部分具有第一侧壁。使用蚀刻掩模对芯轴实施第一蚀刻工艺以限定图案，并且在第一蚀刻工艺之后，芯轴包括具有与对应的第一侧壁垂直对准的第二侧壁的第二桥部分。在蚀刻穿过芯轴之后，实施第二蚀刻工艺以使芯轴的第二桥部分横向凹进。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 形成第一蚀刻掩模以覆盖芯轴、第一间隔件和第二间隔件，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件与所述芯轴的相对侧壁接触； 图案化所述第一蚀刻掩模，其中，在所述图案化之后，所述第一蚀刻掩模包括： 第一部分，覆盖所述第一间隔件； 第二部分，覆盖所述第二间隔件；以及 桥部分，将所述第一部分连接至所述第二部分，其中，所述桥部分包括第一侧壁； 使用所述第一蚀刻掩模对所述芯轴实施第一蚀刻工艺以限定图案，其中，在所述第一蚀刻工艺之后，所述芯轴包括具有与对应的所述第一侧壁垂直对准的第二侧壁的第二桥部分；以及 在蚀刻穿过所述芯轴之后，实施第二蚀刻工艺以使所述芯轴的所述第二桥部分横向凹进。
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