买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310268021.0，技术领域涉及：H10F77/169；该发明授权一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池及其制备方法是由王磊;李伟民;唐玮;俞深;苑欣业;李松;王赛强;马明;宁德;杨春雷设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池及其制备方法。该薄膜太阳能电池包括：柔性金属衬底层、背电极层、掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层、缓冲层、窗口层和栅电极。该薄膜太阳能电池的制备方法包括：通过直流磁控溅射于柔性金属衬底层上形成背电极层；利用分子束外延设备，采用三步共蒸法沉积CGSe吸收层同时选择性地掺杂铝，选择性地在S气氛下退火，形成掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层；形成缓冲层，然后退火；通过射频磁控溅射形成窗口层；通过电子束蒸发形成栅电极，得到薄膜太阳能电池。本发明的宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池适合作为水下太阳能电池，为水下航行器、自主系统等提供高效率的动力来源。

本发明授权一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽带隙CGSe柔性薄膜太阳能电池，其包括： 柔性金属衬底层； 背电极层，其形成于所述柔性金属衬底层上； 掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层，其形成于所述背电极层上； 缓冲层，其形成于所述掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层上； 窗口层，其形成于所述缓冲层上； 栅电极，其形成于所述窗口层上； 其中，以所述掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层中的总原子数为100%计，其包括3-7%的S原子和或Al原子，以及0.1-1.0%的Na原子； 所述掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层是通过以下方式形成于所述背电极层上的：在分子束外延设备的真空腔室内，第一步，先共蒸Ga、Se和NaF，然后共蒸Ga、Se，在背电极层上形成Ga2Se3，同时掺杂Na，形成前驱体层；第二步共蒸Cu、Se以及选择性地共蒸Al，使Cu与第一步共蒸形成的前驱体层反应，并选择性地掺杂铝，形成表面富Cu并选择性掺杂铝的CGSe层；第三步共蒸Ga、Se，形成CGSe吸收层；之后选择性地在S气氛下进行退火，形成所述的掺杂有硫和或铝的CGSe吸收层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院深圳先进技术研究院，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。