武汉光谷量子技术有限公司曾磊获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光谷量子技术有限公司申请的专利一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310013901.3，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺是由曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺，包括如下步骤：在晶圆表面沉积扩散掩膜；光刻，以在扩散掩膜表面形成扩散窗口以及环绕扩散窗口的扩散环；在扩散窗口和扩散环内进行杂质扩散，以形成扩散区。本申请在通过在扩散窗口周围增设扩散环，扩散环起到辅助扩散作用，通过调整在不同区域像元的辅助扩散环的位置与大小，能够对晶圆不同区域的扩散深度进行修正和补偿，使得晶圆各区域的杂质扩散深度接近一致，进而提升制备出的单管器件在晶圆内各单元的一致性或提高阵列芯片各像元性能的一致性。
本发明授权一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺，其特征在于，包括如下步骤： 在晶圆1表面沉积扩散掩膜4； 光刻，以在扩散掩膜4表面形成扩散窗口2以及环绕扩散窗口的扩散环3； 在扩散窗口2和扩散环3内进行杂质扩散，以形成扩散区107； “光刻，以在扩散掩膜4表面形成扩散窗口2以及环绕扩散窗口的扩散环3”具体包括： 在扩散掩膜4表面旋涂光刻胶，依次经前烘、曝光、显影、坚膜和刻蚀工序，在扩散掩膜4表面形成扩散窗口2以及环绕扩散窗口2的扩散环3； 前烘的温度为95-100℃，时间为60s； 曝光工序的光功率为12.5mwcm2，时间为2s； 显影时间为20-25s； 坚膜工序的烘烤温度为105-115℃，烘烤时间为90s。
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