北京超弦存储器研究院尹晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种非对称图形的图案化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111457543.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种非对称图形的图案化方法是由尹晓明;周俊;韩宝东设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非对称图形的图案化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非对称图形的图案化方法，包括以下步骤：在待蚀刻材料层表面形成第一掩膜层，通过第一掩膜层定义预设对称图案；将对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第一图案结构；在第一图案结构表面形成第二掩膜层，通过第二掩膜层定义预设非对称图案；将非对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第二图案结构；第一图案结构与第二图案结构叠加形成非对称图形结构。本发明是针对图形加工工艺的改进，主要是将非对称图形分解为对称图案与非对称图案，并分别进行加工，避免了由非对称图形造成的图形扭曲，改善了器件电学性能的均一性，可广泛应用在DRAM的有源区结构上，表现为阵列中晶体管关态电流的分布更为集中，操作窗口得到改善。
本发明授权一种非对称图形的图案化方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称图形的图案化方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底； 在基底上形成待蚀刻材料层2； 在待蚀刻材料层2表面形成第一掩膜层，通过第一掩膜层定义预设对称图案1；所述第一掩膜层为硬掩膜层6，所述硬掩膜层6有对称图案1； 通过第一次蚀刻工艺，将所述对称图案1转移至所述待蚀刻材料层2内，形成第一图案结构3； 在所述第一图案结构3表面形成第二掩膜层，通过第二掩膜层定义预设非对称图案4；所述第二掩膜层为抗反射层7，所述抗反射层7有非对称图案4； 通过第二次蚀刻工艺，将所述非对称图案4转移至所述待蚀刻材料层2内，形成第二图案结构5； 所述第一图案结构3与所述第二图案结构5叠加形成非对称图形结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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