长鑫存储技术有限公司陈诚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310194196.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由陈诚;王宏付设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体基底中形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部沉积第一接触材料，形成第一接触层；对所述第一接触层执行离子注入工艺；其中，所述离子注入工艺包括多次离子注入，每次离子注入中，离子束与所述半导体基底所在平面的垂线成第一预设角度，每次离子注入之后将所述半导体基底绕所述垂线旋转第二预设角度；在所述第一接触层表面沉积填充所述接触孔的第二接触材料，形成第二接触层；对所述半导体基底进行热处理，修复所述第一接触层和所述第二接触层。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 包括： 在半导体基底中形成接触孔； 在所述接触孔的侧壁和底部沉积第一接触材料，形成第一接触层； 对所述第一接触层执行离子注入工艺；其中，所述离子注入工艺包括多次离子注入，每次离子注入中，离子束与所述半导体基底所在平面的垂线成第一预设角度，所述第一预设角度为30°至60°，每次离子注入之后将所述半导体基底绕所述垂线旋转第二预设角度； 在所述第一接触层表面沉积填充所述接触孔的第二接触材料，形成第二接触层，形成的所述第二接触层内具有缝隙； 对所述半导体基底进行热处理，修复所述第一接触层和所述第二接触层，所述缝隙被修复后的所述第一接触层和所述第二接触层填充。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励