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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105566.X，技术领域涉及：H10W72/90；该发明授权半导体结构及其制造方法是由高雨凡;洪齐元;洪沨设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括至少一裸片，所述裸片顶面设置有多个导电连接垫；侧壁焊盘，设置在所述衬底侧壁，且与至少一部分所述导电连接垫电连接。上述技术方案，通过增加侧壁焊盘，将部分焊盘布置于衬底侧壁，从立体层面增加半导体结构可布局焊盘的面积，提高半导体结构表面利用率，缓解芯片尺寸微型化带来的焊盘布局问题。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一初始半导体结构，所述初始半导体结构包括一衬底，所述衬底包括至少一裸片，所述裸片顶面设置有多个导电连接垫，所述衬底顶面具有划片槽区域；在所述划片槽区域处形成凹槽；在所述凹槽内形成初始导电结构；沿所述划片槽区域将所述初始半导体结构切割为独立的半导体结构，其中，切割线经过所述凹槽，所述初始导电结构暴露于所述衬底侧壁的部分作为侧壁焊盘，所述侧壁焊盘沿第一方向在所述衬底侧壁上以多层分布，且多层所述侧壁焊盘沿所述第一方向交错排布，且位于不同层的所述侧壁焊盘彼此之间互相不连接，所述第一方向垂直所述衬底顶面或者与所述衬底顶面成锐角夹角； 在所述凹槽内形成初始导电结构进一步包括如下步骤： 形成导电层，所述导电层填满所述凹槽；减薄所述导电层形成第一孔洞； 在所述第一孔洞内填充绝缘材料；在所述绝缘材料内形成第二孔洞，所述第二孔洞底部暴露出所述导电层，且所述第二孔洞内径小于所述第一孔洞；在所述第二孔洞内沉积导电材料，所述导电材料与所述导电层连接，所述导电材料和所述导电层共同组成所述初始导电结构； 沿所述划片槽区域将所述初始半导体结构切割为独立的半导体结构进一步包括如下步骤：所述切割线经过所述导电层及所述导电材料远离所述裸片一侧的绝缘材料，剩余的所述导电层暴露于所述衬底侧壁，作为所述侧壁焊盘，所述导电材料作为侧壁连接线。

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