江苏芯港半导体有限公司白俊春获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯港半导体有限公司申请的专利具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310293881.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法是由白俊春;程斌;平加峰;汪福进设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有垂直AlGaNGaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、阴极制作；四、介质层生长；五、阳极制作。其利用再生长形成的垂直方向上的2DEG二维电子气，可以显著提高二极管的正向电流；同时利用再生长形成的PN结，可以均匀地分散峰值电场，改善电场集中效应，提高击穿电压，并且，反向时，PN结相比于肖特基结可以更加有效地减小反向漏电。
本发明授权具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直AlGaNGaN异质结的高压肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1、在厚度为1～4μm的N+-GaN层1的正面上生长一层厚度为3～9μm的P-GaN层2； 2、在所述N+-GaN层1和P-GaN层2上刻蚀凹槽a，所述凹槽a的宽度为3～5μm、深度为将所述N+-GaN层1刻蚀掉100～500nm； 3、整体生长一层厚度为100～500nm的N--GaN层3； 4、在所述N--GaN层3上生长一层厚度为10～30nm的AlGaN层4； 5、在所述N+-GaN层1的底面上制作阴极5； 6、在所述AlGaN层4上沉积一层厚度为0.2～1μm的介质层6； 7、刻蚀掉位于所述P-GaN层2上面的部分所述N--GaN层3、AlGaN层4和介质层6，露出所述P-GaN层2的顶面； 8、在暴露出的所述P-GaN层2的顶面上刻蚀出阳极凹槽c，所述阳极凹槽c的深度为300-900nm； 9、在所述阳极凹槽c内、剩余的所述介质层6上及部分所述P-GaN层2上制作阳极7。
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