买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116192121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310003981.4，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路是由周前能;操雷;李红娟设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路，包括电平位移核心电路及低延时通路检测电路。本发明采用电阻R1使得PMOS管M5‑M6漏极电压能快速从VDDH降为VSSH，提高电路瞬态特性，缩短电压转换的延迟并减少开关损耗；采用PMOS管M13‑M14构成上拉MOS管，使PMOS管M5‑M6漏极电压快速上升，减少开关损耗；采用栅极、源极和衬底短接NMOS管M7‑M8来实现二极管，使PMOS管M5‑M6漏极的低电位均不低于VSSH‑0.7，提高电路可靠性，采用反相器实现延迟链技术，使对应与非门输出一个下脉冲信号，进而电路输出一个与输入信号变化一致的高压信号，从而实现高性能的快速电平位移电路。

本发明授权一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路，其特征在于，包括：电平位移核心电路1及低延时通路检测电路2，其中，所述电平位移核心电路1的信号输出端连接所述低延时通路检测电路2的信号输入端，所述低延时通路检测电路2的信号输出端连接所述电平位移核心电路1的信号输入端；所述电平位移核心电路1为所述低延时通路检测电路2提供两个控制信号，所述低延时通路检测电路2在输出端产生一个高压输出信号； 所述电平位移核心电路1包括：反相器inv1、反相器inv2、NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14及电阻R1，其中反相器inv1的输入端与电路输入端IN相连，反相器inv1的输出端分别与NMOS管M1的栅极以及反相器inv2的输入端相连，反相器inv2的输出端与NMOS管M2的栅极相连，PMOS管M5的源极分别与PMOS管M6的源极、PMOS管M13的源极、PMOS管M9的源极、PMOS管M14的源极、PMOS管M11的源极以及高压域电源端VDDH相连，PMOS管M5的栅极分别与PMOS管M6的漏极、PMOS管M4的源极、PMOS管M14的漏极、NMOS管M8的漏极、PMOS管M11的栅极以及NMOS管M12的栅极相连，PMOS管M5的漏极分别与PMOS管M3的源极、PMOS管M6的栅极、PMOS管M13的漏极、PMOS管M9的栅极、NMOS管M10的栅极以及NMOS管M7的漏极相连，PMOS管M3的栅极分别与电阻R1的一端以及PMOS管M4的栅极相连，电阻R1的另一端分别与NMOS管M7的衬底、NMOS管M7的源极、NMOS管M7的栅极、NMOS管M10的源极、NMOS管M8的衬底、NMOS管M8的源极、NMOS管M8的栅极、NMOS管M12的源极以及高压域低电源端VSSH相连，PMOS管M3的漏极与NMOS管M1的漏极相连，NMOS管M1的源极分别与NMOS管M2的源极以及外部地线GND相连，PMOS管M4的漏极与NMOS管M2的漏极相连，PMOS管M9的漏极分别与NMOS管M10的漏极、反相器inv3的输入端以及与非门nand1的一输入端相连，PMOS管M11的漏极分别与NMOS管M12的漏极、反相器inv6的输入端以及与非门nand2的一输入端相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆邮电大学，其通讯地址为：400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。