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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116185701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310184178.5，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法是由赵莎莎;王璞;杨雪;唐汉钊设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法，本方法包括数据准备、读命令发送、结果返回、数据处理分析几个阶段。在数据准备阶段，构造不同空页场景，读命令发送阶段，根据数据准备，发送不同模式的读命令。结果返回，返回是否读到空页以及空页数。数据处理分析阶段对测试结果与预期结果进行比较分析，生成可视化报告。本发明可验证闪存控制器能否有效识别出空页，提高系统的可靠性。

本发明授权一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法在权利要求书中公布了：1.一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法，其特征在于：包括以下步骤： S01、数据准备，信息初始化并构造不同的空页场景，空页场景包括擦除后不写入数据直接读取、写入数据的block与读取数据block不一致、读写闪存类型不同、数据写入读取正确；擦除后不写入数据直接读取的验证过程为：从起始block序列号开始，对于每一轮操作，先往NANDFlash控制器发送单条擦操作，完成擦操作后，再发送singleplane读操作，当起止block擦除完毕，再进行multi-plane读操作，对于每次读操作，都设置读出的空页预期值，并封装空页判断接口，空页判断接口判断读操作实际读出的空页； 本空页场景下，预期结果的设置方式为：如果操作两个block块，singleplane读，当此次操作的block号为偶数时，空页预期值设置为1，当操作的block号为奇数时，空页预期值设置为2；multi-plane读，空页预期值设置为3； S02、读命令发送，根据数据准备，发送不同模式的读命令； S03、结果返回，根据发送的读命令，返回是否读到空页以及空页数，返回的数据称为测试结果； S04、数据处理分析，将测试结果与预期结果进行比较分析，比较测试结果与预期结果是否一致，如果一致，则空页测试方法正确，否则不正确。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东华芯半导体有限公司，其通讯地址为：250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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