长鑫存储技术有限公司陈小璇获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310364537.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由陈小璇设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底中包括有源区、第一绝缘部和第二绝缘部，第一绝缘部和第二绝缘部之间具有有源区；在第一绝缘部和第二绝缘部之间的有源区中制备电接触孔，以及，在电接触孔中制备源漏接触，源漏接触包括一层碳化硅子层或多层依次叠置的碳化硅子层；其中，制备各碳化硅子层的步骤包括：在电接触孔中制备碳化硅材料层，碳化硅材料层包括非晶态碳化硅和晶态碳化硅，去除非晶态碳化硅，以保留的晶态碳化硅作为碳化硅子层。其中，碳化硅与有源区的有源区的界面晶格不匹配，因而在源漏接触中引入了压应力，从而能够增加载流子的迁移率，进而提高器件的电流。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤： 提供衬底，所述衬底中包括有源区、第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部和所述第二绝缘部之间具有所述有源区； 刻蚀位于所述第一绝缘部和所述第二绝缘部之间的有源区，形成电接触孔，以及，在所述电接触孔中制备源漏接触，所述源漏接触包括一层碳化硅子层或多层依次叠置的碳化硅子层； 其中，制备各所述碳化硅子层的步骤包括：在所述电接触孔中制备碳化硅材料层，所述碳化硅材料层包括非晶态碳化硅和晶态碳化硅，去除所述非晶态碳化硅，以保留的所述晶态碳化硅作为所述碳化硅子层； 所述非晶态碳化硅附着于所述电接触孔的侧壁上，所述晶态碳化硅附着于所述电接触孔的底壁上。
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