思特威(上海)电子科技股份有限公司郭同辉获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利单光子雪崩光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414430.4，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩光电二极管及其制备方法是由郭同辉设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：半导体基底，深沟槽区，自半导体基底的第一主面延伸至半导体基体内部；阴极区，包括设置于半导体基底的第一主面的第一阴极部和设置于深沟槽区外周侧且沿深沟槽区延伸至半导体基底内部的第二阴极部；缓冲区，包括设置于第一阴极部的外周侧与下方的第一缓冲部和设置于第二阴极部外周侧的第二缓冲部，缓冲区与阴极区的接触区域形成雪崩区；阳极区，设置于半导体基体的上部；以及光电信号转换区，设置于半导体基体内部。本发明的单光子雪崩光电二极管具有低时间抖动的优点，采用本发明单光子雪崩光电二极管的飞行时间传感器探测具有较高的测距精度。
本发明授权单光子雪崩光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩光电二极管，其特征在于，所述单光子雪崩光电二极管包括： 半导体基底，包括相对的第一主面和第二主面； 深沟槽区，自所述半导体基底的第一主面延伸至所述半导体基底内部，所述深沟槽区填充有填充物； 阴极区，包括设置于所述半导体基底的第一主面的第一阴极部和设置于所述深沟槽区外周侧且沿所述深沟槽区延伸至所述半导体基底内部的第二阴极部； 缓冲区，包括设置于所述第一阴极部的外周侧与下方的第一缓冲部和设置于所述第二阴极部外周侧的第二缓冲部，所述缓冲区与所述阴极区的接触区域形成雪崩区； 阳极区，设置于所述半导体基底的上部，位于所述第一缓冲部的外周侧； 光电信号转换区，设置于所述第一缓冲部下方和所述第二缓冲部的外周侧。
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