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龙图腾网获悉杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种具有控制区的沟槽SOI-LDMOS晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310358342.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有控制区的沟槽SOI-LDMOS晶体管是由胡月;吴成飞;王天赐;王高峰设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有控制区的沟槽SOI-LDMOS晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有控制区的沟槽SOI‑LDMOS晶体管，硅膜层位于埋氧层上，包括硅体、源区、沟槽、漂移区、漏区、隔离区和控制区；硅体和漏区分设在隔离区内部两侧顶部；源区处于硅体的凹槽处；漂移区为硅膜层中隔离区内部除源区、硅体、沟槽和漏区以外的所有区域；控制区由两个L形区域组成，左侧L形区域掺杂类型为P型，右侧L形区域掺杂类型为N型；沟道由源区靠近漏区的侧面和漂移区之间硅体提供；源电极位于源区、硅体、隔离区和左侧控制区上方；栅氧化层位于沟道上方，完全覆盖沟道；栅电极完全覆盖栅氧化层；漏电极覆盖漏区、隔离区以及右侧控制区上方。本发明具体高器件击穿电压，并降低导通电阻，器件性能品质因素更加优越。

本发明授权一种具有控制区的沟槽SOI-LDMOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有控制区的沟槽SOI-LDMOS晶体管，包括衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层；所述的衬底层设置在最底部，掺杂类型为P型，掺杂材料为硅材料；衬底层上面为埋氧层，所述的埋氧层采用二氧化硅材料，埋氧层上面为硅膜层；其特征在于：所述的硅膜层包括源区、硅体、漂移区、漏区、沟槽、隔离区、L形P型控制区和L形N型控制区；硅体和漏区位于沟槽两侧，且硅体内侧与沟槽设有间隙，漏区内侧与沟槽贴合；硅体呈凹形，源区设置在硅体的凹形区域内；所述的隔离区围住硅体和漏区的外侧，并围住硅体、漏区和沟槽的底部，且隔离区的两侧内壁分别贴合硅体和漏区的外侧，隔离区的底部上表面与硅体、漏区和沟槽的底部均不贴合；隔离区内部除源区、硅体、漏区和沟槽以外的部分均为漂移区；所述的L形P型控制区包括竖直P型控制区和水平P型控制区；竖直P型控制区位于隔离区靠近源区的一侧外部，并与隔离区的外壁贴合；所述的L形N型控制区包括竖直N型控制区和水平N型控制区；竖直N型控制区位于隔离区靠近漏区的一侧外部，并与隔离区的外壁贴合；水平P型控制区和水平N型控制区均位于埋氧层与隔离区底部之间，且水平P型控制区和水平N型控制区内侧贴合；源区顶面、硅体顶面、漂移区顶面、沟槽顶面以及漏区顶面对齐设置；所述的沟槽与隔离区采用二氧化硅材料，源区、硅体、漂移区、漏区、L形P型控制区和L形N型控制区均为硅材料；器件沟道由源区靠近漏区的那个侧面和漂移区之间的硅体提供；源区、漏区、漂移区和L形N型控制区掺杂类型为N型；硅体和L形P型控制区掺杂类型为P型；所述的器件顶层包括栅氧化层、源电极、栅电极和漏电极；所述的栅氧化层位于沟道上方，且覆盖沟槽顶部一部分；栅氧化层采用二氧化硅材料；所述的栅电极位于栅氧化层的上方；所述的源电极位于L形P型控制区上方，并覆盖硅体顶部、隔离区顶部和源区顶部一部分；所述的漏电极位于L形N型控制区上方，并覆盖隔离区顶部和漏区顶部。

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