京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司孙拓获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利像素电路、像素驱动方法、发光基板及发光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116158211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180002367.5,技术领域涉及:H10K59/121;该发明授权像素电路、像素驱动方法、发光基板及发光装置是由孙拓;周影;张宜驰设计研发完成,并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素电路、像素驱动方法、发光基板及发光装置在说明书摘要公布了:一种像素电路、像素驱动方法、发光基板及发光装置,像素电路包括依次串联的第一驱动电路21、第一发光器件22、第二发光器件23以及第二驱动电路24;第一驱动电路21包括第一驱动晶体管DT1,第一驱动晶体管DT1的源极连接第一电源端,第一驱动晶体管DT1的漏极连接第一发光器件22的第一极;第二驱动电路24包括第二驱动晶体管DT2,第二驱动晶体管DT2的源极连接第二电源端26,第二驱动晶体管DT2的漏极连接第二发光器件23的第一极;第一发光器件22的第二极与第二发光器件23的第二极连接;其中,第一驱动晶体管DT1与第二驱动晶体管DT2的沟道类型不同。
本发明授权像素电路、像素驱动方法、发光基板及发光装置在权利要求书中公布了:1.一种像素电路,其特征在于,包括依次串联的第一驱动电路、第一发光器件、第二发光器件以及第二驱动电路; 所述第一驱动电路,包括第一驱动晶体管,所述第一驱动晶体管的源极连接第一电源端,所述第一驱动晶体管的漏极连接所述第一发光器件的第一极; 所述第二驱动电路,包括第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管的源极连接第二电源端,所述第二驱动晶体管的漏极连接所述第二发光器件的第一极; 所述第一发光器件的第二极与所述第二发光器件的第二极连接; 其中,所述第一驱动晶体管与所述第二驱动晶体管的沟道类型不同。
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