株式会社国际电气西田圭吾获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116114050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104355.9，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由西田圭吾设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明提供下述技术，其具有：a通过在不含氧的气氛下向处理室内的衬底供给含有第1元素的气体，从而在衬底上形成含有第1元素的膜的工序；和b通过向衬底供给含氧气体，从而使含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序，在b中，根据含有第1元素的膜的厚度来选择不同的衬底温度。
本发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有： a通过在不含氧的气氛下向衬底供给含有第1元素的气体，从而在构成所述衬底的表面的基底上形成含有第1元素的膜的工序；和 b通过向所述衬底供给含氧气体，从而使所述含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序， 在b中，根据所述含有第1元素的膜的厚度来选择不同的所述衬底的温度，并且，所述衬底的所述温度为在使所述含有第1元素的膜的遍及厚度方向的整体氧化的时间点氧化反应饱和、且抑制与所述含有第1元素的膜相接触的所述基底的氧化的温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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