杭州富芯半导体有限公司李贤获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310137030.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李贤;曹文康设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件外延层靠近衬底部分的P柱的掺杂浓度大于N柱的掺杂浓度。如此，在退火、氧化等高温工艺下，衬底中的部分杂质扩散至N柱区外延层底部的P柱的掺杂浓度和N柱的掺杂浓度相当，从而使得P柱和N柱的正载流子和负载流子在外延层底部也尽可能地相互耗尽，半导体器件性能得到进一步提升。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为超结VDMOS器件，所述制造方法包括： 在衬底之上形成第二外延层，所述第二外延层的掺杂浓度为第一掺杂浓度；所述第二外延层为N型外延层； 在所述第二外延层上进行刻槽，得到多个第二P槽； 向每个所述第二P槽内注入第二掺杂浓度的P柱材料，得到间隔排列的第二P柱；所述第二P柱之间的第二外延层部分构成第二N柱； 在所述第二外延层之上形成第一外延层，所述第一外延层的掺杂浓度与所述第二外延层的掺杂浓度相同；所述第一外延层为N型外延层； 在所述第一外延层上进行刻槽，得到多个第一P槽； 向每个所述第一P槽内注入所述第一掺杂浓度的P柱材料，得到间隔排列的第一P柱；所述第一P柱之间的第一外延层部分构成第一N柱； 其中，所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度。
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