北京航空航天大学王昭昊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310061173.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元是由王昭昊;王旻;史可文;赵巍胜设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多比特磁性存储单元的制作方法、单元及存储器，所述方法包括：形成自旋轨道矩层；在所述自旋轨道矩层上形成至少一个磁隧道结和至少一个磁性体，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁性体用于为所述磁隧道结提供漏磁场，使得磁隧道结的不对称性增强，本发明可使读取裕度增加并降低功耗。
本发明授权多比特磁性存储单元的制作方法及存储单元在权利要求书中公布了：1.一种多比特磁性存储单元的制作方法，其特征在于，包括： 形成自旋轨道矩层； 在所述自旋轨道矩层上形成至少一个磁隧道结和至少一个磁性体，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁性体用于为所述磁隧道结提供漏磁场使得磁隧道结的不对称性增强。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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