中国科学院微电子研究所张青竹获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211497854.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由张青竹;殷华湘;曹磊;李恋恋;刘阳;姚佳欣;张亚东;许高博;张兆浩;韩燕楚设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，设置于衬底一侧的源极，漏极和沟道结构，沟道结构位于源极和漏极之间，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极，栅极环绕纳米片，空腔，空腔分别设置于栅极和源极或漏极之间，空腔由栅极、源极或漏极和纳米片围绕形成，也就是说，在栅极和源极或漏极之间形成空腔，即在栅极的侧壁形成空气内侧墙，避免在栅极的侧壁形成由其他材料构成的内侧墙的影响，能够避免由于内侧墙是其他材料导致的寄生电容增加的问题，大幅降低器件的寄生电容，提高半导体器件的工作速度。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 设置于所述衬底一侧的源极，漏极和沟道结构，所述沟道结构位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道结构包括多个纳米片形成的叠层； 栅极，所述栅极环绕所述纳米片； 空腔，所述空腔分别设置于所述栅极和所述源极或所述漏极之间，所述空腔由所述栅极、所述源极或所述漏极和所述纳米片围绕形成； 所述空腔由设置在栅极和所述源极或所述漏极之间的分子式为C-H-O-S的混合物质进行化学反应形成。
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