华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学唐江获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学申请的专利一种X射线探测器及其功能单元和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211723721.6，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种X射线探测器及其功能单元和制备方法是由唐江;牛广达;宋子豪设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种X射线探测器及其功能单元和制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种X射线探测器及其功能单元和制备方法，属于半导体光电探测器技术领域；对电路基底的表面进行改性，以使钙钛矿在电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底；在电路基底改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元；通过降低钙钛矿在电路基底表面的成核势垒并使之小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，实现钙钛矿在电路基底上的异质成核和生长，进而通过直接在电路基体上直接原位生长钙钛矿晶体，避免了采用键合工艺来实现钙钛矿晶体的附着，进而避免了使用昂贵的键合机和ACF胶，克服了ACF胶内部的导电金属颗粒可能分布不均匀，存在产生坏点和不同像素和晶体的界面导电性不均一的问题。
本发明授权一种X射线探测器及其功能单元和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在电路基底表面形成改性层，以使钙钛矿在所述电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底； 把所述改性电路基底浸泡于钙钛矿长晶溶液，以在所述改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到X射线探测器，所述钙钛矿长晶溶液为以N,N-二甲基甲酰胺：γ-丁内酯=1：1为混合溶剂配置成的1.27molL的FAPbBr3溶液； 所述形成改性层的方式包括：在所述电路基底表面涂覆改性材料，后进行退火； 所述改性材料包括PTAA和APTES中的至少一种；退火的温度为90-110℃；退火的时间为5-15min； 所述生长钙钛矿晶体中钙钛矿长晶溶液的温度为45-55℃；生长钙钛矿晶体中钙钛矿长晶溶液的升温速率为0.5-1.5℃h； 所述方法通过异质成核和生长，实现钙钛矿晶体在电路基底上的原位形成，而无需后续的键合工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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