中国科学院微电子研究所殷华湘获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310161967.7，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由殷华湘;赵朋;吴振华;张兆浩设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片，纳米片包括边缘区域和中心区域，在垂直于衬底所在平面的方向上，中心区域的纳米片厚度小于边缘区域的纳米片厚度，也就是说，纳米片形成了一种中间薄边缘厚的结构，减少了相邻纳米片之间的其他结构的厚度以及体积，降低半导体器件的寄生电阻，此外，靠近源极或漏极的区域的纳米片厚度较大，和源极以及漏极的接触面积变大，沟道结构产生的热量能够通过增大的接触面积传导至源极和漏极，加快散热效率，增强散热效果，提高最终制造得到的半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 设置于所述衬底一侧的源极，漏极和沟道结构，所述沟道结构位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道结构包括多个纳米片形成的叠层； 所述纳米片包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域为所述纳米片靠近所述源极或所述漏极的区域，所述中心区域为所述纳米片远离所述源极或所述漏极的区域，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述中心区域的纳米片厚度小于所述边缘区域的纳米片厚度； 栅极，所述栅极环绕所述纳米片； 相邻的所述纳米片之间设置有内侧墙，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述内侧墙靠近所述源极或所述漏极的一侧厚度小于所述内侧墙远离所述源极或漏极的厚度； 所述内侧墙和所述纳米片相接触的界面为弧面。
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