苏州晶方半导体科技股份有限公司王鑫琴获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利半导体元件、半导体元件的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115939157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211467740.7,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权半导体元件、半导体元件的封装结构及其封装方法是由王鑫琴设计研发完成,并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件、半导体元件的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体元件,半导体元件的封装结构以及该封装结构的封装方法,半导体元件包括衬底、形成于所述衬底内的功能结构以及与所述功能结构连接的焊垫,所述功能结构包括具有网孔结构的浅槽隔离层,所述浅槽隔离层未延伸至所述焊垫,或所述浅槽隔离层延伸至所述焊垫并属于所述焊垫的一部分,其中,所述浅槽隔离层的网孔满足:网孔宽度范围为2.29μm~2.49μm。本发明的半导体元件,其能够解决由于STI浅槽隔离的存在导致在后续封装过程中STI浅槽隔离分层的问题。
本发明授权半导体元件、半导体元件的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体元件,其特征在于,包括衬底、形成于所述衬底内的功能结构以及与所述功能结构连接的焊垫,所述焊垫与所述功能结构在所述衬底厚度方向上的投影不重叠设置,所述功能结构包括具有网孔结构的浅槽隔离层,所述浅槽隔离层延伸至所述焊垫并属于所述焊垫的一部分,其中,所述浅槽隔离层的网孔满足:网孔宽度范围为2.29μm~2.49μm。
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