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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947384.8，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体腔室及半导体工艺设备是由胡云龙设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体腔室及半导体工艺设备，半导体腔室包括第一腔室本体、隔离阀门、控温组件、第一承载部和第二承载部；隔离阀门设置于第一腔室本体内，隔离阀门分隔第一腔室本体的内腔形成至少两个工艺腔，第一腔室本体开设有晶片传输口，晶片传输口与至少两个工艺腔中的一个工艺腔相连通；每个工艺腔中均设置有控温组件，相邻的两个工艺腔内的两个控温组件的控温效果不相同；第一承载部和第二承载部分别位于相邻的两个工艺腔内，在相邻的两个工艺腔之间的隔离阀门开启的情况下，第一承载部能够运动至第二承载部所在的工艺腔内，晶片能够在第一承载部和第二承载部之间转载。上述方案能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。

本发明授权半导体腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体腔室，其特征在于，包括： 第一腔室本体110和隔离阀门200，所述隔离阀门200设置于所述第一腔室本体110内，所述隔离阀门200分隔所述第一腔室本体110的内腔形成至少两个工艺腔111，所述第一腔室本体110开设有晶片传输口，所述晶片传输口与所述至少两个工艺腔111中的一个所述工艺腔111相连通； 控温组件300，每个所述工艺腔111中均设置有所述控温组件300，相邻的两个所述工艺腔111内的两个所述控温组件300的控温效果不相同； 第一承载部410和第二承载部420，所述第一承载部410和所述第二承载部420分别位于相邻的两个所述工艺腔111内，在相邻的两个所述工艺腔111之间的所述隔离阀门200开启的情况下，所述第一承载部410能够运动至所述第二承载部420所在的所述工艺腔111内，所述晶片700能够在所述第一承载部410和所述第二承载部420之间转载；在所述隔离阀门200闭合的情况下，所述第一承载部410所在的所述工艺腔111和所述第二承载部420所在的所述工艺腔111隔离；相邻的两个所述工艺腔111中的一个为加热腔，另一个为冷却腔； 所述第一腔室本体110包括至少两个腔体部112，所述腔体部112开设有通孔1121，相邻的两个所述腔体部112的所述通孔1121相对设置，相邻的两个所述腔体部112之间具有装配间隙1122，所述隔离阀门200位于所述装配间隙1122内，且位于相对的两个所述通孔1121之间； 所述晶片700加工后先传输至所述第一承载部410所在的所述工艺腔111内进行控温后打开所述隔离阀门200，所述第一承载部410将所述晶片700传输至所述第二承载部420所在的工艺腔111内进行控温。

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