联华电子股份有限公司龚文文获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110817589.4，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权半导体结构的制造方法是由龚文文;韩晓飞;林超钰;廖鸿;钱钧设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底具有第一区与第二区。在第一区中的基底上形成堆叠结构。堆叠结构包括第一介电层、电荷存储层、第二介电层、第一导体层与第一硬掩模层。在第二区中的基底上形成介电材料层。在第二区中的介电材料层上形成第二导体层。形成第一图案化光致抗蚀剂层，其中第一图案化光致抗蚀剂层暴露出第一区中的第一硬掩模层与第二区中的部分介电材料层。利用第一图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除由第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的第一硬掩模层与由第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分介电材料层。
本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，包括： 提供基底，其中所述基底具有第一区与第二区； 在所述第一区中的所述基底上形成堆叠结构，其中所述堆叠结构包括： 第一介电层，位于所述基底上； 电荷存储层，位于所述第一介电层上； 第二介电层，位于所述电荷存储层上； 第一导体层，位于所述第二介电层上；以及 第一硬掩模层，位于所述第一导体层上； 在所述第二区中的所述基底上形成介电材料层； 在所述第二区中的所述介电材料层上形成第二导体层； 形成第一图案化光致抗蚀剂层，其中所述第一图案化光致抗蚀剂层暴露出所述第一区中的所述第一硬掩模层与所述第二区中的部分所述介电材料层；以及 利用所述第一图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除由所述第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的所述第一硬掩模层与由所述第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分所述介电材料层，其中所述第一图案化光致抗蚀剂层直接接触所述第二导体层的顶面。
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